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ARTICLE现有研究表明：重庆肖特基接触传感器更适合于检测低浓度生物分子，而欧姆接触传感器在检测神经电信号时具有更强的灵敏度。
这项工作拓宽了2D-vdW-MS异质结构的应用潜力，市南为进一步研究基于2D材料的低功耗电子器件提供了支持。川区图4InSe/T-VTe2异质结能带结构和传输特性曲线a）InSe/T-VTe2异质结的能带结构。
然而，及建设由于不可避免的化学无序和缺陷诱导的带隙态，及建设传统的金属：半导体（MS）界面通常遭受强费米尔钉扎，从而限制了栅的可调控性【研究简介】近日，清华大学精密仪器系李黄龙副教授（通讯作者）及其博士后吕娟（第一作者）在Adv.Mater.上发表了一篇题目为ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors的研究成果。文献链接：下城乡配ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors,2019,Adv.Mater.DOI:10.1002/adma.201906000.清华大学精密仪器系李黄龙副教授团队致力于低功耗、下城乡配高速度、新架构芯片的元器件和材料研究，近年来在神经形态器件（TrulyConcomitantandIndependentlyExpressedShort‐andLong‐TermPlasticityinaBi2O2Se‐BasedThree‐TerminalMemristor,Adv.Mater.2019,31,1805769)和超陡亚阈值摆幅晶体管(ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors,Adv.Mater.2019,1906000)方面取得重要的阶段性突破。电网石墨烯和InSe的电子态分别用红色和黑色曲线表示。
改造【小结】本文研究了二维vdW-MS异质结在超陡亚阈值摆幅CS-FET中的应用潜力。重庆这项工作为基于二维材料的低功耗电子器件提供了新的机遇。
除了选择具有所需态密度-能量关系（D(E)）的源材料外，市南设计栅可调沟道势垒的源-沟道界面对CS-FET至关重要。
研究发现，川区石墨烯可以通过与InSe的界面作用，在Dirac点附近出现自发的p型掺杂和微开的带隙，导致热载流子密度随n型沟道势垒的增加呈指数衰减。及建设e）SOR生物传感器I-V曲线随TENG电压处理次数的变化图。
下城乡配【图文导读】图1肖特基/欧姆接触可逆转变多功能生物传感器概念图肖特基/欧姆接触可逆转变生物传感器（SOR生物传感器）用于高灵敏度神经递质和神经电脉冲检测。电网作者使用同一个SOR生物传感器在肖特基接触状态实现了对低浓度多巴胺分子的检测（0.5µmol/mL）。
在本论文中，改造同一个SOR生物传感器在肖特基接触状态实现了对低浓度多巴胺（0.5µmolmL-1）的高灵敏度检测，改造经TENG处理转变为欧姆接触后，SOR生物传感器对神经电脉冲的灵敏度提高了16倍。b）SOR器件转变前后的I–V曲线变化图（肖特基接触：重庆橙色，转变后的欧姆接触：紫色）。